
作者:通陵扁 来源:原创 发布日期:05-18

利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久,读写延迟<10ns,85℃ 下数据保持时间>1s(注:这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍)。NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人施振荣领导的新一笔战略投资。相关阅读:广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不
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发布时间:04:26:55